文/黃清晏
一、開篇總述
- 核心觀點：「設備決定製程極限，材料決定良率與效率」，而非單純的「三分設備／七分材料」金額比例。
- 成本結構：在半導體晶圓代工成本中，材料約佔總製造成本的30~40%，設備折舊攤提佔比通常更高。高純度電子級材料（上百種以上）的純度與穩定性，直接決定先進製程（如2奈米、GAA架構）的良率。
二、關鍵設備與核心材料
1）光刻機
| 項目 | 內容 |
| 供應商 | ASML（絕對壟斷） |
| 技術 | DUV（深紫外光）、EUV（極紫外光） |
| 戰略意義 | EUV是7奈米以下先進製程的必備設備，ASML為全球唯一供應商 |
2）矽晶圓
| 項目 | 內容 |
| 成本佔比 | 佔半導體材料成本約 1/3，為最大單一材料品類 |
| 全球格局 | 前五大廠商市佔率達 87%，高度集中 |
| 環球晶（6488） | 全球第三大，併購世創受阻後改採大規模擴產，目標全球前二 |
| 台勝科（3532） | 台灣 12吋矽晶圓龍頭，與環球晶構成台灣本土供應雙核心 |
3）特殊氣體
市場特性：佔半導體材料成本約 14%，為第二大材料品類。
市場格局：
外商主導：聯華林德、液空、空氣化工、默克等合計囊括近 70% 市佔率。
驅動力：台積電等指標大廠積極推動供應鏈在地化，以維持先進製程（2奈米、GAA架構）良率。
4）製程化學品（光刻膠／顯影液／蝕刻液）
市場格局：
高階光刻膠市場由日本企業高度壟斷（東京應化、JSR、信越化學、富士軟片），美國廠商亦佔有重要地位。
台灣本土化學廠則在特定領域進行在地分工與供應。
三、關鍵材料瓶頸：台灣在地供應鏈卡位圖譜
台灣在地供應鏈正藉由台積電推動的 「在地化採購」與 「韌性供應鏈」 戰略加速卡位。以下為完整圖譜
四、TSMC 2奈米製程與先進封測
1）2奈米產能規劃
TSMC台積電在2026年和2027年2奈米的產能規劃
2）先進封測產業鏈
台灣先進封測產業鏈台積電 (2330)、日月光 (3711)、京元電 (2449)和力成 (6239)
五、總結與產業趨勢洞察
- 材料在地化加速：台積電「韌性供應鏈」政策，推動本土材料商從「二供」升級為「一供」，認證週期縮短至 6~12個月（過去需2~3年）。台積電已設定2030年採購目標：零配件60%、材料50%、後勤支援100%在地化。
- CMP材料戰略地位提升：隨著製程從10奈米微縮至2奈米，對CMP平坦化的容忍度縮小5倍，CMP耗材的重要性大幅提升。2奈米GAA架構增加薄膜沉積與蝕刻步驟，使CMP製程道數與用量倍增。
- 「共同開發」取代「採購關係」：台積電正將供應商關係從單純採購轉向共同開發夥伴，讓材料商直接參與新製程規格制定。這是本土材料廠最大的機會，也是最大的考驗。
- EUV與CMP雙瓶頸突破：光罩護膜、EUV光阻劑、CMP研磨墊與拋光液是2奈米以下量產的四大咽喉。頌勝科技在研磨墊領域率先突圍，JSR則在拋光液與光阻劑兩線布局；台廠在拋光液領域尚無代表性廠商，是材料自主化最後一塊拼圖。
- 投資與評價趨勢：市場給予材料與耗材廠的本益比（PE）已開始高於設備廠，反映「材料為王」的產業共識。