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HBM 降規不等於需求轉弱?瑞穗看記憶體、光通訊與 800V 的三條分岔路

文/謝銘元

HBM 堆疊降低、AI 晶片數量增加,並連向銅纜、光纖與 400V、800V 資料中心機櫃的原創示意圖。
AI 晶片單顆記憶體內容下降,可能換來更多出貨,並使設備、連接與供電需求分化。圖為原創示意圖。

AI 供應鏈最容易被誤讀的地方,是把「單顆晶片規格下降」直接等同於「整體需求下降」。瑞穗證券美國在 2026 年 8 月 24 日的半導體與設備產業單頁報告中提出相反情境:若 GPU/ASIC 的 HBM 層數降低,單顆記憶體內容確實變少,卻可能緩解供應瓶頸,讓晶片出貨量增加約 20–30%。報告因此調整記憶體與設備股目標價,卻同時看好連接元件需求。結果是設備、記憶體與連接元件不再同漲同跌,投資判讀必須分開看單顆內容、總出貨量與資料中心架構。

HBM 降規,總 DRAM bit 需求仍可能增加

瑞穗轉述 SemiAnalysis 與供應鏈查核,Feynman 平台可能面臨顯著記憶體降規,幅度情境約 50%。GPU/ASIC OEM 可能把未來 HBM 限制在 4–8Hi,12Hi 的吸引力下降,16Hi、20Hi 與 hybrid bonding 是否採用也仍不確定。報告並稱 Google TPUv8 的 HBM3e 已縮至 8Hi;這些都屬機構觀察,不是全產業已定案的統一規格。

單顆內容下降的另一面,是供應可支撐更多 GPU/ASIC。瑞穗估出貨量可因此增加約 20–30%,訓練、推論與 KV Cache 帶動的總 DRAM bit 需求反而可能提高。換句話說,判斷記憶體景氣不能只數 HBM 層數,也要看能多交付多少顆加速器。若要追蹤個別記憶體公司的業務與財務資料,可在此放入美光 Micron(MU)深度解析:單季營收年增 346%、毛利率衝到 84.6%,以及三月買下的苗栗銅鑼廠,避免把產業情境直接當成單一公司的已實現成果。

設備鏈承受降規壓力,新晶圓廠提供部分抵銷

對晶圓廠設備而言,影響比記憶體更模糊。HBM 層數放緩與 hybrid bonding 延後,可能降低部分製程強度並壓縮評價倍數;但瑞穗同時提到約 100 個新建晶圓廠專案與 Terafab,可能提供需求抵銷。報告因此把 AMAT、MKSI、LRCX 目標價分別由 650、360、370 美元調降至 590、330、365 美元,三者在單頁表格仍列為 Outperform。

記憶體股也出現溫和調整:MU 目標價由 1,375 降至 1,300 美元,SNDK 由 1,900 降至 1,875 美元。瑞穗仍認為記憶體供應偏緊、總 DRAM 與 KV Cache NAND 需求較高,但目標價下修顯示基本面想像與市場願意給的倍數是兩回事。需要延伸比較設備投資週期時,可在此置入東京威力科創(8035)深度解析:AI 設備週期、產品護城河與台灣連結

銅纜與 NPO 先受惠,CPO 仍約要等 2–3 年

若記憶體限制減輕、GPU/ASIC 出貨增加,連接元件可能是較直接的受惠環節。瑞穗看好 2027 年 CRDO 的 AEC 銅纜需求,情境包括 agentic AI CPU 機櫃,以及 xAI/SpaceX 客戶可能擴至 5–10GW;LITE 則可能受惠 NPO、矽光子與 InP 的機櫃 scale-up/scale-out 連接需求。相較之下,CPO 距離大規模導入仍約 2–3 年,時間差不能被忽略。

800V 若延後,需求不是消失而是改道

報告指出,資料中心安裝商可能因灰/白空間供電變更幅度大,又需要重新訓練關鍵人員,而延後 800V。另一條路徑是採用 OCP ORv3 Diablo 雙軌 400V 機櫃,較容易沿用既有 400V DC 佈局,並降低 SiC/sidecar 需求。瑞穗認為,高壓 800V DC ramp 放慢,仍可能由更多 VRM 模組與更多 GPU/ASIC 出貨部分抵銷。對資料中心供電與連接架構的延伸風險,可在此放入AI 資料中心下一場硬仗在電:800VDC、±400VDC 為什麼會改變電源供應鏈|謝銘元 XMY

作者分析:這份單頁報告真正值得帶走的,不是某一個目標價,而是供應鏈可能發生「規格降、數量升、需求改道」的組合。記憶體、設備、銅纜、光通訊與電力元件因此可能出現不同節奏。報告最後仍把新模型推出視為算力、記憶體與連接需求的推力;這只是券商需求假設,不是已實現訂單。反方風險是,這些結論來自一次餐敘與供應鏈查核,平台規格、CPO 時程、800V 架構與客戶擴產仍可能改變;且來源未提供第 9 頁完整揭露,只能確認瑞穗已提示其與涵蓋公司存在或尋求商業關係。投資人仍需把此頁視為單一情境,而非產業定論。

本文為報告摘要與個人閱讀心得,不構成投資建議;投資人仍應依自身風險承受度獨立判斷。